STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、ST初のGaN（窒化ガリウム）トランジスタ向けガルバニック絶縁型ゲート･ドライバ「STGAP2GS」を発表しました。同製品は、優れたワイド･バンドギャップ効率と堅牢な安全性および電気的保護を必要とするアプリケーションの小型化および部品コストの削減に貢献します。
シングルチャネル･ドライバであるSTGAP2GSは、最大1200V（ナローボディ版の「STGAP2GSN」では1700V）の高電圧レールに接続可能で、最大15Vのゲート駆動電圧を供給します。接続されたGaNトランジスタとの間で最大3Aのゲート電流を引き込み、供給できるため、高い動作周波数までスイッチング動作を厳密に制御します。
また、絶縁バリアを越えるパルスの伝播遅延をわずか45nsと最小限に抑えており、高速なダイナミック応答を実現します。動作温度範囲全体にわたり±100V/nsのdV/dt過渡電圧の変化にも耐えられるため、トランジスタにかかる不要なゲート変化を防ぎます。また、ゲート駆動動作および性能を簡単に調整できるように、別々のシンク/ ソース･ピンを備えています。
STGAP2GSにより、光絶縁に必要なディスクリート部品が不要になるため、さまざまなコンスーマ機器や産業機器において、高効率かつ堅牢なGaN技術の導入を簡略化します。コンピュータ･サーバの電源や、FA機器、モータ･ドライバ、太陽光および風力発電システム、生活家電、家庭用ファン、ワイヤレス充電器などのアプリケーションに最適です。
STGAP2GSは、ガルバニック絶縁に加え、過熱保護や低電圧保護（UVLO）など、GaN技術に合わせて最適化されたシステム保護機能を内蔵しています。そのため、優れた信頼性と堅牢性を備えています。
また、ドライバ機能の評価に使用できる評価ボード「EVSTGAP2GS」および「EVSTGAP2GSN」も提供されています。それぞれ標準のSTGAP2GSとナローボディ版STGAP2GSNに、STの75mΩ、650Vエンハンスメント型（ノーマリ･オフ）GaNトランジスタ「SGT120R65AL」を組み合わせています。
STGAP2GSおよびSTGAP2GSNは現在量産中で、STGAP2GSはSO-8ワイドボディ･パッケージ、STGAP2GSNはSO-8ナローボディ･パッケージで提供されます。単価は、1000個購入時に約1.42ドルです。
詳細については、ウェブサイト（https://www.st.com/ja/power-management/stgap2gs.html?ecmp=tt33850_gl_enews_jul2023）をご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、50,000名以上の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･コネクティビティの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラルの実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（https://www.st.com/content/st_com/ja.html）をご覧ください。
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