現在主流のシリコンパワー半導体（IGBTやパワーMOSFET）の構造や製造プロセス、特徴に加え、台頭著しいSiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）といった新材料のパワーデバイスについてもわかりやすく解説します。
初めてパワー半導体について学びたい方、より知識を深めたい方におすすめの講座です。
皆様の御参加をお待ちしております。
■お申込み・セミナーの詳細はこちらから
https://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=500
＜セミナー概要＞
開催日時：2023年5月22日(月) 10：00～18：00
開催方法：ハイブリッドセミナー（会場、オンライン）
会 場：東京・富士ソフトアキバプラザ 6階セミナールーム1（会場参加の場合）
（千代田区神田練塀町3 富士ソフト秋葉原ビル）
参 加 費：33,000円（税込）／１名（資料ダウンロードあり）
※会場参加コース、オンライン参加コースどちらも同額です。
※お食事・お飲み物のご用意はございません
主催：電子デバイス産業新聞
＜ プログラム＞
講師：国立大学法人筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 氏
10:00～12:00
【第１部 ようこそ「パワー半導体」の世界へ】
１．パワーエレクトロニクス技術とはなにか
２．パワー半導体を使うと、なぜ省エネになるのか
３．パワー半導体の仕事とは
４．どんな用途に何が使われているのか
５．パワー半導体に要求される特性とは何か
６．パワー半導体のマーケット動向と今後の展望
７．パワー半導体の誕生と進化のあゆみ
12:00～13:00 休憩
13:00～14:40
【第２部 パワー半導体の製造プロセスとモジュール化】
１．パワー半導体の製造プロセスと装置
２．パワー半導体をモジュール化パワーデバイスへ
３．パワー半導体の品質・信頼性について
14:40～14:50 休憩
14:50～15:30
【第３部 Ｓｉ系パワー半導体の限界と今後の進化の方向性】
１．Ｓｉ-ＭＯＳＦＥＴ, ＳＪ-ＭＯＳＦＥＴの展望
２．Ｓｉ-ＩＧＢＴの展望
15:30～15:40 休憩
15:40～18:00（※休憩含む）
【第４部 新材料ＳｉＣ、ＧａＮ登場と今後の展望】
１．ＭＯＳＦＥＴかＩＧＢＴか
２．なぜＳｉＣが注目されているのか
３．ＳｉＣパワーデバイスの開発（最近のトピックから）
４．ＳｉＣモジュールの課題
５．なぜＧａＮが注目されているのか
６．ＧａＮパワーデバイスの開発（最近のトピックスから）
【第５部 最近話題の酸化ガリウム、ダイヤモンドについて】
【第６部 高温実装技術】
※講演タイトルは、都合により変更することがありますので、ご了承ください。
＜お申込み方法＞
下記よりお申込みください
＜産業タイムズ社 今後のセミナー開催予定＞
◇「ビギナーのための液晶・有機ＥＬ・マイクロＬＥＤディスプレー入門
～いまさら人に聞けない原理や構造、プロセス、市場を分かりやすく解説～ 」
開催日時：2023年6月8日（木）10:00～17:30
開催方法：オンラインセミナー（Zoom使用）
◇「ビギナーのためのリチウムイオン電池入門
～カーボンニュートラルのキーデバイス、いまさら人に聞けない構造や材料、市場、サプライチェーンなどを分かりやすく解説～」
開催日時：2023年６月15日（木）10:30～17:00
開催方法：オンラインセミナー（Zoom使用）
◇「ビジネス人のための『ビギナー半導体』
―― 顧客と円滑なコミュニケーションができるように ―― 」
開催日時：2023年6月19日（月），6月20日（火）10:00～18:00 開催
開催方法：ハイブリッドセミナー
会場：東京・富士ソフトアキバプラザ(会場参加の場合)
◇「中国の電子デバイス産業の最新動向」
開催日時：2023年8月1日（火）13:30～17:00
開催方法：ハイブリッドセミナー
会場：東京・富士ソフトアキバプラザ(会場参加の場合)
＜セミナーに関するお問い合わせ先＞
株式会社産業タイムズ社 事業開発部
〒101-0032
東京都千代田区岩本町1-10-5 TMMビル3F
Tel:03-5835-5894 Fax:03-5835-5497
Email:seminar@sangyo-times.co.jp
