インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、シリコンカーバイド（SiC）ファミリの名称を新たに「EliteSiC」とすることを発表しました。オンセミは、今週米国ネバダ州ラスベガスで開催されるコンシューマー・エレクトロニクス・ショー（CES）で、1700 V EliteSiC MOSFETと2つの1700 Vアバランシェ定格EliteSiCショットキーダイオードの3つの新しいファミリ製品を展示します。これらの新しいデバイスは、エネルギーインフラおよび産業用ドライブアプリケーション向けに高い信頼性と高効率性能を実現し、オンセミの産業用SiCソリューションにおけるリーダーとしての立場を強固なものにします。
オンセミの1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1）は、高電力産業用アプリケーションに求められる高ブレークダウン電圧（BV）のSiCソリューションを提供します。2つの1700 Vアバランシェ定格EliteSiCショットキーダイオード（NDSH25170A、NDSH10170A）は、SiCによって可能になる高い効率を提供しながら、高温時でも安定した高電圧動作を実現します。
オンセミで、エグゼクティブ・バイス・プレジデント兼パワー・ソリューションズ・グループのジェネラル・マネージャを務めるサイモン・キートン（Simon Keeton）は、次のように述べています。「新しい1700 V EliteSiCデバイスは、電力損失を低減しながらクラス最高の効率を提供することにより、当社のEliteSiCファミリ製品の優れた性能と高い品質基準を満たすだけでなく、オンセミのEliteSiCの深さと幅をさらに広げます。オンセミは、エンドツーエンドのSiC製造能力と併せて、産業用エネルギーインフラと産業用ドライブプロバイダのニーズに応える技術と供給保証を提供します」
再生可能エネルギーアプリケーションは、1100 Vから1500 VDCバスのソーラーシステムへと着実に高電圧に移行しています。この変化に追従するため、顧客はより高いBVのMOSFETを必要としています。新しい1700 V EliteSiC MOSFETは、最大Vgs範囲が-15V/25Vで、ゲート電圧が最大-10Vになる高速スイッチングアプリケーションに最適で、システムの信頼性向上を実現します。
1700 V EliteSiC MOSFETは1200 V、40 Aのテスト条件で200 nCのゲート電荷（Qg）を達成し、300 nCに近い同等の競合デバイスに比べて、市場をリードしています。低Qgは、高速スイッチングの高電力再生可能エネルギーアプリケーションでの高効率達成に重要です。
EliteSiCショットキーダイオードデバイスでは、BV定格1700 Vにおいてダイオードの最大逆電圧（VRRM）とピーク繰り返し逆電圧間のマージンが向上しています。また、最大逆電流（IR）が25°C時にわずか40 µA、175°C時に100 µAという優れた逆方向リーク性能も実現しています。これは25°C時定格100 µAが一般的な競合デバイスに比べて大幅に優れています。
オンセミのEliteSiCソリューションの詳細については、オンセミのウェブサイトをご覧ください。1月5～8日に米国ネバダ州ラスベガスで開催されるCES 2023でもご紹介しています。
オンセミ（onsemi）について
オンセミ（Nasdaq: ON）は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。オンセミは、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネルギーグリッド、産業オートメーション、5Gおよびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を実現する方法をリードしています。オンセミはフォーチュン500®企業であり、S&P 500®指数に含まれています。オンセミの詳細については、www.onsemi.jpをご覧ください。
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