マウザー、Infineonの「汎用MOSFET ≤250V & ≥500V」の取り扱いを開始

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半導体と電子部品の幅広い品揃え™と新製品投入(New Product Introduction: NPI)のリーディング・ディストリビュータであるMouser Electronics(マウザー・エレクトロニクス 本社:米国テキサス州マンスフィールド、以下マウザー)は、Infineon Technologies(Infineon Technologies AG、本社:ドイツノイビーベルク、以下:Infineon)の各種汎用MOSFETの提供を開始します。 Infineonの高電圧および低電圧の豊富なポートフォリオは、プロジェクト、価格設定、または物流の要件を満たすMOSFETをお探しの設計者向けに、様々なアプリケーションに柔軟性、価値、適応性を提供いたします。

  • 「汎用MOSFET ≤250V & ≥500V」の詳細

マウザーでは、低電圧(最大250Vの設計用)と高電圧(500V~900Vの設計用)の両方のInfineon汎用MOSFETを取り扱っています。低電圧MOSFETには、ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧が20V~600Vの様々なシングル/デュアルNチャネルおよびPチャネルデバイスが含まれます。これらのデバイスのドレイン-ソース間抵抗の定格は1.1mΩ~30Ωで、連続ドレイン電流の範囲は100mA~260Aです。これらの低電圧MOSFETの動作温度範囲は-55°C~+175°Cで、AEC-Q101認定を受けています。

高電圧MOSFETは、500V~900Vの範囲のドレイン-ソース間ブレークダウン電圧、77mΩ~4.68Ωのドレイン-ソース抵抗、および1A~54.9Aの範囲の連続ドレイン電流を特徴としています。これらのデバイスの最低動作温度は-40°Cであり、消費電力は5W~500Wの範囲です。

Infineonの汎用MOSFETは、SOT-23、PQFN、SuperSO8、TO-252(DPAK)、SOT-223、TO-220など、幅広いパッケージオプションから入手可能です。すべてのデバイスは、Infineonのオンライン設計ツール、シミュレーションモデル、および包括的な製品サポートドキュメントによってもサポートされています。

これらの汎用MOSFETは、広範な電力変換および管理アプリケーションに最適で、バッテリー逆接続保護機能、代替電源間の電源切り替え、または不要な負荷のパワーダウンを必要とする設計に組み込むことができます。対象となるアプリケーションには、スイッチモード電源、充電器とアダプタ、照明、TV電源、サーバー/テレコムデバイス、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御とドライブ、バッテリ管理システムなどがあります。

「汎用MOSFET ≤250V & ≥500V」の詳細については、下記URLをご覧ください。
https://www.mouser.com/new/infineon/infineon-250v-500v-general-purpose-mosfets/

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