エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを幅広く開発し、環境に優しい電子機器を実現している、ファブレスのクリーンテック半導体企業のCambridge GaN Devices（CGD）はハイサービスのリーダーのDigiKeyとディストリビューション契約を締結したと発表しました。DigiKeyはグローバル契約条件に基づき、利便性、堅牢性、効率性に優れたCGDのICeGaN™ HEMTや関連製品の在庫を保有することになります。
Andrea Bricconi | Chief Commercial Officer、CGD
「ビジネスを拡張し、高電圧向けICeGaNのメリットを模索、活用するエンジニアに有用なGaNエコシステムを構築するCGDにとって、今回の契約は大きな前進となります。非常に高い評価と信頼を得ているブランドのDigiKeyと契約したことで、CGDは世界中の新しい市場に参入し、サポートできるようになると確信しています」。
Missy Hall氏 | 新規マーケット開発担当副社長、DigiKey
「DigiKeyプログラムにCambridge GaN Devices（CGD）を迎えられることを嬉しく思います。私たちのポートフォリオにCGDのICeGaNシリーズ・トランジスタが加わることで、お客様にとってエネルギー効率の高い製品の選択肢が充実します。DigiKeyは常に顧客からのご要望にお応えしたいと考えており、CGDがサプライヤ・コミュニティに加わることで、またひとつニーズに対応し、素晴らしいイノベーションに向けた一歩を踏み出すことができます」。
CGDは最近、650V H2シリーズのICeGaN窒化ガリウムHEMTファミリを発表しています。新製品は一般に流通している産業用ゲート・ドライバを使用して駆動できるため、設計上の複雑さが緩和されます。ICeGaN HEMTの効率面ではシリコン部品の1/10のQG、1/5のQOSSが特長です。そのため、スイッチング損失が大幅に削減され、業界をリードする効率を達成し、システム・サイズ、重量、コストの削減を実現します。H2シリーズICeGaN HEMTはeモードGaNの一般的な弱点を実質的に解消するCGDのスマート・ゲート・インターフェースを採用しており、信頼性と耐久性の懸念にも対応しています。その他にも過電圧耐性の向上、高いノイズ耐性しきい値、dV/dt抑制、ESD保護などを特長としています。
Cambridge GaN Devicesについて
Cambridge GaN Devices（CGD）はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN™テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors（HVMS）グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。
DigiKeyについて
米国ミネソタ州シーフリバーフォールズに本社を置くDigiKeyは電子部品やオートメーション製品の最先端の商取引ディストリビューションにおけるグローバルリーダーとして高い評価を受け、常に進化するイノベーターとしても注目されています。DigiKeyは2,400社強のクオリティブランドメーカーの1,490万点を超える部品を提供しており、業界でも屈指の在庫製品の範囲の広さと層の厚さ、即時可能な出荷により、技術的専門性を高めています。さらに、豊富なデジタルソリューション、スムーズなやり取り、作業を効率化するツールにより、エンジニア、設計者、ビルダー、購買担当者をサポートしています。詳細についてはdigikey.com、Facebook、Twitter、YouTube、Instagram、LinkedInでご覧ください。
