- 「ワイドバンドギャップSiCデバイス」シリーズの詳細
再生可能エネルギーや高電力工業用のアプリケーションには、「NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET」が提供しているように、高ブレークダウン電圧（BV）が求められます。また、最大ゲートソース間電圧（VGS）範囲が-15V～+25Vで、ゲート電圧が-10Vまで上昇する高速スイッチングアプリケーションに適しており、システムの信頼性を向上させます。この製品は、1200 V、40Ampのテスト条件で市場最高レベルの200nCのゲートチャージ（Qg）を達成しています。この低Qgによって、デバイスは高速スイッチングの高電力再生可能エネルギーアプリケーションにおける高効率を実現できます。
商品の詳細
https://www.mouser.jp/new/onsemi/onsemi-nth4l028n170m1-mosfet/
BV定格1700 Vの「1700V EliteSiC（シリコンカーバイド）ダイオード」では、ダイオードの最大逆電圧（VRRM）とピーク繰り返し逆電圧のマージンが向上しています。またSiCによって高効率が提供されると同時に設計者がこれらのデバイスを使用することにより、高温時に安定した高電圧操作が可能になります。
商品詳細
https://www.mouser.jp/new/onsemi/on-semi-1700v-diodes/
EV充電ステーション、再生エネルギーを利用した電力網、また高圧/高電流の産業用駆動アプリケーションなど、onsemiのEliteSiCソリューションは電力損失を低減しながらクラス最高の効率を提供します。
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その他、onsemiのEliteSiCデバイスについては、下記URLよりご覧いただけます。
https://www.mouser.jp/new/onsemi/onsemi-wide-band-sic/
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