パワー半導体「第5世代SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始

xEV 用 SiC-MOSFET を製造したウエハ（左）とサンプル提供を開始するチップ（右）（イメージ）

　三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxle（※1）に使用される新しい SiC-MOSFET（※2）チップ2品種のサンプル提供を6月下旬から順次開始します。

　当社が新たに開発した独自のトレンチ（※3）構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品から約25％低減（※4）した業界トップクラス（※5）の低オン抵抗（※6）を実現しました。xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献します。

　なお、本製品は「PCIM Expo & Conference 2026」（6月9日～11日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）や、日本、中国等で開催される展示会へ出展予定です。

　近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大しています。特に自動車分野では、温室効果ガス低減を目的とした自動車の電動化を背景に、モーター駆動におけるインバーターなどの電力変換機器に使用されるパワー半導体の需要拡大と多様化が進んでおり、中でも、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体への期待が高まっています。

　当社は業界に先駆け、1997年にxEV用パワー半導体モジュールの量産を開始した後、ヒートサイクル（※7）耐性の信頼性を向上するなど、インバーターの小型化に向けた課題を解決する実績を重ね、さまざまなEVやハイブリッド車（HEV）に採用されてきました。また、2010年に電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体モジュールを製品化して以来、エアコンや産業用機器、鉄道車両のインバーターシステムに採用され、家電や産業用機器、鉄道車両の低消費電力化に貢献してきました。

　今回、「第5世代SiC-MOSFETチップ」を市場に提供することで、xEV用インバーターやeAxleの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献します。また、当社独自の製造プロセス技術により、性能劣化と電力損失やオン抵抗などの変動を抑制することで、長期間の使用でも安定した品質を実現し、xEV用インバーターやeAxleの耐久性や性能維持に貢献します。

　当社は、今後もxEVをはじめとした様々なパワーエレクトロニクス機器の省エネ化に向け、低電力損失で高品質のSiC-MOSFETチップの提供を拡大し、GX（Green Transformation）に貢献していきます。

■新製品の特長

1．トレンチ型SiC-MOSFETに新開発の独自構造を採用し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現、xEVの航続距離延伸や電費改善に貢献

・新たに開発した当社独自のトレンチ構造であるFSC構造（※8）と、従来から適用している斜め方向からのイオン注入技術により、従来のトレンチ型よりもセル密度を高めて電流を流れやすくし、業界トップクラス（※5）の低オン抵抗を実現

・これにより、従来のトレンチ型SiC-MOSFETと比較してオン抵抗を約25%低減（※4）、xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離延伸や電費改善に貢献

2．独自の製造プロセス技術をトレンチ型SiC-MOSFETに応用し、xEVの性能維持に貢献

・独自の製造技術により、ボディダイオード通電（※9）による性能劣化を抑制し、品質の安定性を向上

・プレーナー（※10）型やトレンチ型 SiC-MOSFET、SiC-SBD（※11）での20年以上の研究、製造実績で培った、SiC独自の工程管理や当社独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術を、新開発のトレンチ型SiC-MOSFETに応用することで、スイッチングのオン・オフ動作によって発生する電力損失やオン抵抗などの変動を抑制

・これらにより、長期間の使用でも安定した品質を実現し、xEV 用インバーターやeAxleの耐久性を確保することで、xEVの性能維持に貢献

■製品仕様

■ 製品担当

　三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所

　〒819-0192 福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号

■三菱電機グループについて

　三菱電機グループは、「Our Philosophy」のもと、サステナビリティを経営の根幹に据え、社会・顧客・株主・従業員をはじめとしたステークホルダーからの信頼を重んじてまいります。また、「収益性」「資本効率」「成長性」を追求するとともに、顧客と繋がり続けて社会課題を解決する新たな価値を創出し、企業価値の持続的向上を図ります。1921年の創業以来、100年を超える歴史を有し、社会システム、エネルギーシステム、防衛・宇宙システム、FAシステム、自動車機器、ビルシステム、空調・家電、デジタルイノベーション、半導体・デバイスといった事業を展開しています。世界に200以上のグループ会社と約15万人の従業員を擁し、2025年度の連結売上高は5兆8,947億円でした。詳細は、オフィシャルウェブサイトをご覧ください。

※1　EVの心臓部となる、モーター、インバーター、ギヤボックスを一体化した駆動ユニット

※2　Silicon Carbide：炭化ケイ素

　　 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ

※3　ウエハの表面から溝（トレンチ）を掘り、ゲート電極を埋め込んだ構造

※4　新製品と従来品（第4世代トレンチ型 SiC-MOSFET）の同一定格電圧品としきい値電圧を

　　揃えたうえでオン抵抗を比較した場合

※5　2026年5月29日現在。当社調べ

※6　オン抵抗とは、MOSFETなどのパワー半導体がスイッチオン状態の時に、ドレイン・ソース間に

　　生じた抵抗値。この値が小さいほど、導通時の電力損失が少なく、発熱も抑えられる

※7　外部環境の変化などによる、製品全体の温度上昇・下降の繰り返し

※8 Flat Source Contact：絶縁膜をトレンチ内部に埋め込む当社独自の構造

※9　 MOSFETに内蔵されたダイオードがスイッチOFF時に電流の逃げ道として自動的に流れる現象